มอก. 60749 เล่ม 44-2567

ขอบข่ายมาตรฐาน

- กำหนดขึ้นโดยรับ IEC 60749-44 Edition 1.0 (2016-07) Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices มาใช้โดยวิธีพิมพ์ซ้ำ (reprinting) ในระดับเหมือนกันทุกประการ (identical) โดยใช้ IEC ฉบับภาษาอังกฤษเป็นหลัก - กำหนดขั้นตอนสำหรับการวัดผลกระทบจากเหตุการณ์เดียว (single event effects (SEEs)) บนอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำวงจรรวมความหนาแน่นสูงรวมถึงความสามารถในการเก็บข้อมูลของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีหน่วยความจำเมื่ออยู่ในบรรยากาศการแผ่รังสีนิวตรอนที่เกิดขึ้นโดยรังสีคอสมิก ความไวของผลกระทบเหตุการณ์เดียวจะถูกวัดในขณะที่อุปกรณ์ถูกฉายรังสีในลำแสงนิวตรอนที่ทราบฟลักซ์ วิธีทดสอบนี้สามารถนำไปใช้กับวงจรรวมทุกประเภท หมายเหตุ 1 อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำภายใต้ความเค้นแรงดันสูงอาจได้รับผลกระทบจากเหตุการณ์เดียว รวมถึง SEB (single event burnout) และ SEGR (single event gate rupture) สำหรับหัวข้อนี้ที่ไม่ครอบคลุมในเอกสารนี้ โปรดดูที่ IEC 62396-4 [2] หมายเหตุ 2 นอกจากนิวตรอนพลังงานสูงแล้ว อุปกรณ์บางชนิดยังสามารถมีอัตรา ความผิดพลาดชั่วคราวได้เนื่องจากนิวตรอนความร้อนพลังงานต่ำ (<1 eV) สำหรับหัวข้อที่ไม่ครอบคลุมในเอกสารนี้ โปรดดู IEC 62396-5 [3]