มอก. 60749 เล่ม 29-2567

ขอบข่ายมาตรฐาน

- กำหนดขึ้นโดยรับ IEC 60749-29 Edition 2.0 (2011-04) Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 29: Latch-up test มาใช้โดยวิธีพิมพ์ซ้ำ (reprinting) ในระดับเหมือนกันทุกประการ (identical) โดยใช้ IEC ฉบับภาษาอังกฤษเป็นหลัก - ครอบคลุมการทดสอบ I-test และการทดสอบลัทช์-อัพจากแรงดันเกิน ของวงจรรวม - การทดสอบนี้จัดเป็นการทดสอบแบบทำลาย - วัตถุประสงค์ของการทดสอบนี้ใช้กำหนดวิธีการกำหนดลักษณะการลัทช์-อัพ (latch-up) ของวงจรรวม (integrated circuit : IC) และเพื่อกำหนดเกณฑ์ความล้มเหลวของการลัทช์-อัพ ลักษณะลัทช์-อัพใช้พิจารณา ความเชื่อถือได้ของผลิตภัณฑ์และทำให้ความล้มเหลวแบบ "ไม่พบปัญหา" (no trouble found : NTF) และลด "ความเครียดเกินทางไฟฟ้า" (electrical overstress : EOS) เนื่องจากลัทช์-อัพ - วิธีทดสอบนี้ใช้ได้กับอุปกรณ์ CMOS เป็นหลัก และในการนำไปใช้กับเทคโนโลยีอื่น ๆ ต้องมีการกำหนดเป็นมาตรฐานอื่นต่อไป - การจำแนกประเภทของลัทช์-อัพตามการทำงานของอุณหภูมิจะกำหนด ในข้อ 3.1 และเกณฑ์ระดับความล้มเหลวจะกำหนดในข้อ 3.2